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UM6312

自举运作的浮地缓冲区 极限运转电阻为+700 V 兼容3.3V，5V和15V进入方式 dVs/dt耐受力效率可以达到±50 V/ns  Vs负偏压学习能力达-9V 整合自举整流二极管 符合标准规定RoSH标准规定: SOIC8 (S) 欠压重置正面域值8.9V 欠压自动隐藏负向阀值8.2V 死区日子100ns 办理接入延迟Ton=130ns 关断无线传输时间延迟Toff =130ns 延时一致耗时50ns 的输出级拉功率：300mA 灌功率的能力：600mA 额定容量工率：625mW 工作中温度因素：-40~ 125℃ 如何消除静电防护衣：>1.5KV (HBM)二极管封装型号：SOIC8
共 1 款品牌
Part number Pre_driver Vs(V) Voltage (V) Input logic IO+/IO-(A) DT(ns) IBD 5V LDO 12V LDO Channel num Package
UM6312 2N 700 10-20 HIN/LIN +0.3A/-0.6A 100 √ -- -- 1 SOIC8
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