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UM6030

P/N MOS半桥式三相四线制输出精度更高工作上电阻相当于40V兼容3.3V, 5V 和15V輸入形式逻辑dv/dt受水平高达±50 V/nsP/NMOS |VGS| 能达10V內置5V/40mA LDO內置过温养护的功能栅极驱动软件电压值：5~40V适合RoSH规范：QFN16 原带130ns 死区周期 开通使用互传怎么延时Ton=80ns关断输送怎么延时Toff =30ns上下侧延时电路连接 欠压选择正面阀值4.5V欠压选择负向阀值4.3V 拉电流大小学习能力：50mA 灌功率水平：300mA 任务高温：-40~ 125° C 防静电安全防护网：>2KV（HBM）封装类类：QFN16


共 1 款物料
Part number Pre_driver Vs(V) Voltage (V) Input logic IO+/IO-(A) DT(ns) IBD 5V LDO 12 LDO Channel num Package
UM6030 3P3N 40 5-40 HIN/LIN +0.05A/-0.3A 130 / √ -- 3 QFN16
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